Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 330mOhm @ 10A, 10V |
|---|---|
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 60 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4250 pF @ 25 V |
| Производитель | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Product Status | Obsolete |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Напряжение сток-исток | 600 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Ta) |
| Макс. рассеиваемая мощность | 150W (Tc) |
| Корпус | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Корпус производителя | TO-3P(N) |
| Рабочая температура | 150°C (TJ) |
|---|