Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 500V 18A TO3PIS
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 270mOhm @ 10A, 10V |
|---|---|
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 80 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3720 pF @ 10 V |
| Производитель | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Упаковка | Tube |
| Статус позиции | Устаревший |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Напряжение сток-исток | 500 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 18A (Ta) |
| Макс. рассеиваемая мощность | 90W (Tc) |
| Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
|---|---|
| Корпус производителя | TO-3P(N)IS |
| Рабочая температура | 150°C (TJ) |
|---|