Общие
| Производитель | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|
| Тип монтажа | Through Hole |
| Product Status | Active |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 900mV @ 100mA, 800mA |
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC6142(Q)
DatasheetАналоговые и силовые компоненты
TRANS NPN 375V 1.5A PW-MOLD2
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 375 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1.5 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 50µA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 100mA, 5V |
| Power - Max | 1.1 W |
Механические
| Корпус | Box |
|---|---|
| Package / Case | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
| Корпус производителя | PW-MOLD2 |
Среда
| Рабочая температура | 150°C (TJ) |
|---|