Общие
| Базовый Part Number | 2SC6040 |
|---|---|
| Производитель | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Product Status | Obsolete |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 100mA, 800mA |
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 800 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100µA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 100mA, 5V |
| Power - Max | 1 W |
Механические
| Корпус | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | SC-71 |
| Корпус производителя | MSTM |
Среда
| Рабочая температура | 150°C (TJ) |
|---|