Общие
| Базовый Part Number | 2SC6000 |
|---|---|
| Производитель | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 180mV @ 83mA, 2.5A |
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC6000(TE16L1,NQ)
Аналоговые и силовые компоненты
2SC6000(TE16L1,NQ)
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 7 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 250 @ 2.5A, 2V |
| Power - Max | 20 W |
Механические
| Корпус | Tape & Reel (TR) |
|---|---|
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Корпус производителя | PW-MOLD |
Среда
| Рабочая температура | 150°C (TJ) |
|---|