Общие
| Производитель | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 120mV @ 10mA, 500mA |
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC5819(TE12L,ZF)
DatasheetАналоговые и силовые компоненты
TRANS NPN 20V 1.5A PW-MINI
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 20 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1.5 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 400 @ 150mA, 2V |
| Power - Max | 1 W |
Механические
| Корпус | Box |
|---|---|
| Package / Case | TO-243AA |
| Корпус производителя | PW-MINI |
Среда
| Рабочая температура | 150°C (TJ) |
|---|