Общие
| Базовый Part Number | 2SC3669 |
|---|---|
| Производитель | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Product Status | Obsolete |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 50mA, 1A |
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC3669-Y(T2OMI,FM
Аналоговые и силовые компоненты
TRANS NPN 80V 2A MSTM
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 2 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 500mA, 2V |
| Power - Max | 1 W |
| Frequency - Transition | 100MHz |
Механические
| Корпус | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | SC-71 |
| Корпус производителя | MSTM |
Среда
| Рабочая температура | 150°C (TJ) |
|---|