Общие
| Базовый Part Number | 2SC3665 |
|---|---|
| Производитель | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Product Status | Obsolete |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 50mA, 500mA |
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC3665-Y,T2F(J
Аналоговые и силовые компоненты
TRANS NPN 120V 0.8A MSTM
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 120 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 800 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 100mA, 5V |
| Power - Max | 1 W |
| Frequency - Transition | 120MHz |
Механические
| Корпус | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | SC-71 |
| Корпус производителя | MSTM |
Среда
| Рабочая температура | 150°C (TJ) |
|---|