Общие
| Базовый Part Number | 2SB1481 |
|---|---|
| Производитель | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Product Status | Obsolete |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.5V @ 6mA, 3A |
Toshiba Semiconductor and Storage
2SB1481(TOJS,Q,M)
Аналоговые и силовые компоненты
TRANS PNP 100V 4A TO220NIS
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 4 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 2µA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 2000 @ 3A, 2V |
| Power - Max | 2 W |
Механические
| Корпус | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Корпус производителя | TO-220NIS |
Среда
| Рабочая температура | 150°C (TJ) |
|---|