Общие
| Производитель | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 200mV @ 33mA, 1A |
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA2060(TE12L,ZF)
DatasheetАналоговые и силовые компоненты
TRANS PNP 50V 2A PW-MINI
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 2 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 300mA, 2V |
| Power - Max | 1 W |
Механические
| Корпус | Box |
|---|---|
| Package / Case | TO-243AA |
| Корпус производителя | PW-MINI |
Среда
| Рабочая температура | 150°C (TJ) |
|---|