Общие
| Базовый Part Number | 2SA1955 |
|---|---|
| Производитель | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Obsolete |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 10mA, 200mA |
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1955FVBTPL3Z
Аналоговые и силовые компоненты
TRANS PNP 12V 0.4A VESM
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 12 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 400 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 300 @ 10mA, 2V |
| Power - Max | 100 mW |
| Frequency - Transition | 130MHz |
Механические
| Корпус | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) |
|---|---|
| Package / Case | SOT-723 |
| Корпус производителя | VESM |
Среда
| Рабочая температура | 150°C (TJ) |
|---|