Общие
| Базовый Part Number | 1SV279 |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 6.5pF @ 10V, 1MHz |
| Capacitance Ratio | 2.5 |
| Capacitance Ratio Condition | C2/C10 |
| Diode Type | Single |
| Производитель | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Active |
Toshiba Semiconductor and Storage
1SV279,H3F
DatasheetАналоговые и силовые компоненты
PB-F ESC VARICAP DIODE (HF), IR=
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Voltage - Peak Reverse (Max) | 15 V |
|---|
Механические
| Корпус | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) |
|---|---|
| Package / Case | SC-79, SOD-523 |
| Корпус производителя | ESC |
Среда
| Рабочая температура | 125°C (TJ) |
|---|