Общие
| Базовый Part Number | 1SS413 |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 3.9pF @ 0V, 1MHz |
| Производитель | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Технология | Schottky |
Toshiba Semiconductor and Storage
1SS413CT,L3F
DatasheetАналоговые и силовые компоненты
DIODE SCHOTTKY 20V 50MA SOD882
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 20 V |
|---|---|
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 550 mV @ 50 mA |
| Current - Average Rectified (Io) | 50mA |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 500 nA @ 20 V |
| Скорость | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Механические
| Корпус | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) |
|---|---|
| Package / Case | SOD-882 |
| Корпус производителя | CST2 |
Среда
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 125°C |
|---|