Общие
| Базовый Part Number | 1SS387 |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 0.5pF @ 0V, 1MHz |
| Производитель | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 4 ns |
| Технология | Standard |
Toshiba Semiconductor and Storage
1SS387CT,L3F
DatasheetАналоговые и силовые компоненты
DIODE GEN PURP 80V 100MA CST2
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 80 V |
|---|---|
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2 V @ 100 mA |
| Current - Average Rectified (Io) | 100mA |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 500 nA @ 80 V |
| Скорость | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Механические
| Корпус | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) |
|---|---|
| Package / Case | SOD-882 |
| Корпус производителя | CST2 |
Среда
| Operating Temperature - Junction | 150°C (Max) |
|---|