XP263N1001TR-G

Torex Semiconductor Ltd

XP263N1001TR-G

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 60V 1A SOT23

В производствеTO-236-3, SC-59, SOT-23-3Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs250mOhm @ 500mA, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs3.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds180 pF @ 20 V
ПроизводительTorex Semiconductor Ltd
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.4V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1A (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность400mW (Ta)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус производителяSOT-23

Среда

Рабочая температура150°C(TJ)