TS12A12511DRJR

Texas Instruments

TS12A12511DRJR

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

IC SWITCH SPDT X 1 5OHM 8SON

В производстве8-WDFN Exposed PadАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Channel Capacitance (CS(off), CD(off))14pF
Channel-to-Channel Matching (ΔRon)1Ohm
Charge Injection26pC
Crosstalk-70dB @ 1MHz
ПроизводительTexas Instruments
Тип монтажаSurface Mount
Multiplexer/Demultiplexer Circuit2:1
Макс. сопротивление во включенном состоянии5Ohm (Typ)
Product StatusActive
Switch CircuitSPDT
Switch Time (Ton, Toff) (Max)95ns, 50ns

Электрические

Voltage - Supply, Dual (V±)±2.7V ~ 6V
Voltage - Supply, Single (V+)2.7V ~ 12V
Current - Leakage (IS(off)) (Max)1nA
-3db Bandwidth93MHz
Количество цепей1

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-WDFN Exposed Pad

Среда

Рабочая температура-40°C ~ 85°C (TA)