Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180mOhm @ 1.5A, 10V |
|---|---|
| Базовый Part Number | TPS1100 |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.45 nC @ 10 V |
| Производитель | Texas Instruments |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | +2V, -15V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Напряжение сток-исток | 15 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.7V, 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.6A (Ta) |
| Макс. рассеиваемая мощность | 791mW (Ta) |
| Корпус | Tube |
|---|---|
| Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус производителя | 8-SOIC |
| Рабочая температура | -40°C~150°C(TJ) |
|---|