Общие
| Тип программной памяти | FLASH |
|---|---|
| Производитель | Texas Instruments |
| Тип генератора | External |
| Упаковка | Tray |
| Статус позиции | В производстве |
| Серия | Hercules™ TMS570 ARM® Cortex®-R |
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Ядро процессора | ARM® Cortex®-R4F |
|---|---|
| Разрядность ядра | 16/32-Bit |
| Скорость | 180MHz |
| Объем программной памяти | 1.25MB (1.25M x 8) |
| Объем RAM | 192K x 8 |
| Периферия | DMA, POR, PWM, WDT |
| Интерфейсы | CANbus, EBI/EMI, I2C, LINbus, MibSPI, SCI, SPI, UART/USART |
| Количество I/O | 101 |
| Voltage - Supply (Vcc/Vdd) | 1.14V ~ 3.6V |
| Преобразователи данных | A/D 24x12b |
Механические
| Объем EEPROM | 64K x 8 |
|---|
Среда
| Grade | Automotive |
|---|---|
| Рабочая температура | -40°C ~ 125°C (TA) |