LMG3422R050RQZT

Texas Instruments

LMG3422R050RQZT

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

600-V 50-M GAN FET WITH INTEGRAT

В производстве54-VQFN Exposed PadАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Конфигурация выходаHalf Bridge
Rds On (Typ)43mOhm
ПримененияGeneral Purpose
Fault ProtectionOver Current, Over Temperature, UVLO
ОсобенностиBootstrap Circuit, Latch Function, Slew Rate Controlled
ИнтерфейсPWM
Load TypeInductive, Capacitive, Resistive
ПроизводительTexas Instruments
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)

Электрические

Выходной ток на канал1.2A
Current - Peak Output1.2A
Напряжение нагрузки7.5V ~ 18V
Напряжение питания7.5V ~ 18V

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / Case54-VQFN Exposed Pad
Корпус производителя54-VQFN (12x12)

Среда

Рабочая температура-40°C~150°C(TJ)