LMG1210RVRT

Texas Instruments

LMG1210RVRT

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 19WQFN

В производстве19-WFQFN Exposed PadАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Базовый Part NumberLMG1210
Channel TypeIndependent
Driven ConfigurationHalf-Bridge
Gate TypeN-Channel MOSFET
Тип входаNon-Inverting
ПроизводительTexas Instruments
Тип монтажаSurface Mount, Wettable Flank
Number of Drivers2
Product StatusActive
Rise / Fall Time (Typ)500ps, 500ps

Электрические

Current - Peak Output (Source, Sink)1.5A, 3A
High Side Voltage - Max (Bootstrap)200 V
Напряжение питания4.75V ~ 5.25V, 6V ~ 18V

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / Case19-WFQFN Exposed Pad
Корпус производителя19-WQFN (3x4)

Среда

Рабочая температура-40°C~125°C(TJ)