LM5113QDPRRQ1

Texas Instruments

LM5113QDPRRQ1

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10WSON

В производстве10-WDFN Exposed PadАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Базовый Part NumberLM5113
Channel TypeIndependent
Driven ConfigurationHalf-Bridge
Gate TypeN-Channel MOSFET
Тип входаNon-Inverting
ПроизводительTexas Instruments
Тип монтажаSurface Mount
Number of Drivers2
Product StatusActive
Rise / Fall Time (Typ)7ns, 3.5ns
СерияAutomotive, AEC-Q100

Электрические

Current - Peak Output (Source, Sink)1.2A, 5A
High Side Voltage - Max (Bootstrap)100 V
Напряжение питания4.5V ~ 5.5V

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / Case10-WDFN Exposed Pad
Корпус производителя10-WSON (4x4)

Среда

Рабочая температура-40°C~125°C(TJ)