CSD88599Q5DC

Texas Instruments

CSD88599Q5DC

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 2N-CH 60V 22VSON-CLIP

В производстве22-PowerTFDFNАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs2.1mOhm @ 30A, 10V
Базовый Part NumberCSD88599Q5
Конфигурация2 N-Channel (Half Bridge)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs27nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4840pF @ 30V
ПроизводительTexas Instruments
Тип монтажаSurface Mount
УпаковкаTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Статус позицииВ производстве
СерияNexFET™
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток60V
Power - Max12W

Механические

Package / Case22-PowerTFDFN
Корпус производителя22-VSON-CLIP (5x6)

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)