Общие
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 33mOhm @ 7A , 8V |
|---|---|
| Базовый Part Number | CSD87312Q3 |
| Конфигурация | 2 N-Channel (Dual) Common Source |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.2nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1250pF @ 15V |
| Производитель | Texas Instruments |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) |
| Статус позиции | В производстве |
| Серия | NexFET™ |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.3V @ 250µA |