CSD86360Q5D

Texas Instruments

CSD86360Q5D

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 2N-CH 25V 50A 8LSON

В производстве8-PowerLDFNАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Базовый Part NumberCSD86360Q5
Конфигурация2 N-Channel (Half Bridge)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs12.6nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2060pF @ 12.5
ПроизводительTexas Instruments
Тип монтажаSurface Mount
УпаковкаTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Статус позицииВ производстве
СерияNexFET™
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.1V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C50A
Power - Max13W

Механические

Package / Case8-PowerLDFN
Корпус производителя8-LSON (5x6)

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)