CSD86350Q5DT

Texas Instruments

CSD86350Q5DT

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 2N-CH 25V 40A 8LSON

В производстве8-PowerLDFNАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs5mOhm @ 25A, 5V, 1.1mOhm @ 25A, 5V
Базовый Part NumberCSD86350
Конфигурация2 N-Channel (Half Bridge)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs10.7nC @ 4.5V, 25nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1870pF @ 12.5V, 4000pF @ 12.5V
ПроизводительTexas Instruments
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.1V @ 250µA, 1.6V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C40A (Ta)
Power - Max13W (Ta)

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-PowerLDFN
Корпус производителя8-LSON (5x6)

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)