CSD75211W1723

Texas Instruments

CSD75211W1723

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 2P-CH 20V 4.5A 12DSBGA

Устаревший12-UFBGA, DSBGAАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs40mOhm @ 2A, 4.5V
Базовый Part NumberCSD75211
Конфигурация2 P-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs5.9nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds600pF @ 10V
ПроизводительTexas Instruments
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
СерияNexFET™
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.1V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4.5A
Power - Max1.5W

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / Case12-UFBGA, DSBGA
Корпус производителя12-DSBGA

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)