CSD75208W1015T

Texas Instruments

CSD75208W1015T

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 2P-CH 20V 1.6A 6DSBGA

В производстве6-UFBGA, DSBGAАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs68mOhm @ 1A, 4.5V
Базовый Part NumberCSD75208
Конфигурация2 P-Channel (Dual) Common Source
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2.5nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds410pF @ 10V
ПроизводительTexas Instruments
Тип монтажаSurface Mount
УпаковкаTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Статус позицииВ производстве
СерияNexFET™
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.1V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.6A
Power - Max750mW

Механические

Package / Case6-UFBGA, DSBGA
Корпус производителя6-DSBGA (1x1.5)

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)