CSD25484F4

Texas Instruments

CSD25484F4

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET P-CH 20V 2.5A 3PICOSTAR

В производстве3-XFDFNАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs94mOhm @ 500mA, 8V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1.42 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds230 pF @ 10 V
ПроизводительTexas Instruments
Тип монтажаSurface Mount
УпаковкаTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Статус позицииВ производстве
СерияFemtoFET™
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)-12V
Vgs(th) (Max) @ Id1.2V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.5A (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность500mW (Ta)

Механические

Package / Case3-XFDFN
Корпус производителя3-PICOSTAR

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)