CSD25301W1015

Texas Instruments

CSD25301W1015

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET P-CH 20V 2.2A 6DSBGA

Устаревший6-UFBGA, DSBGAАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs75mOhm @ 1A, 4.5V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds270 pF @ 10 V
ПроизводительTexas Instruments
Тип монтажаSurface Mount
УпаковкаTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Статус позицииУстаревший
СерияNexFET™
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.2A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность1.5W (Ta)

Механические

Package / Case6-UFBGA, DSBGA
Корпус производителя6-DSBGA (1x1.5)

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)