CSD23201W10

Texas Instruments

CSD23201W10

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA

Устаревший4-UFBGA, DSBGAАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs82mOhm @ 500mA, 4.5V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds325 pF @ 6 V
ПроизводительTexas Instruments
Тип монтажаSurface Mount
УпаковкаTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Статус позицииУстаревший
СерияNexFET™
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)-6V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток12 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.2A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность1W (Ta)

Механические

Package / Case4-UFBGA, DSBGA
Корпус производителя4-DSBGA (1x1)

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)