Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.7mOhm @ 100A, 10V |
|---|---|
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 153 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 11400 pF @ 20 V |
| Производитель | Texas Instruments |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Серия | NexFET™ |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.3V @ 250µA |
| Напряжение сток-исток | 40 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 274A (Tc) |
| Макс. рассеиваемая мощность | 250W (Ta) |
| Корпус | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) |
|---|---|
| Package / Case | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Корпус производителя | TO-263 (DDPAK-3) |
| Рабочая температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
|---|