CSD17575Q3

Texas Instruments

CSD17575Q3

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 30V 60A 8VSON

В производстве8-PowerTDFNАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs2.3mOhm @ 25A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4420 pF @ 15 V
ПроизводительTexas Instruments
Тип монтажаSurface Mount
УпаковкаTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Статус позицииВ производстве
СерияNexFET™
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id1.8V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C60A (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность2.8W (Ta), 108W (Tc)

Механические

Package / Case8-PowerTDFN
Корпус производителя8-VSON-CLIP (3.3x3.3)

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)