CSD17313Q2T

Name: CSD17313Q2T
Brand: Texas Instruments

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 30V 5A 6WSON

В производстве6-WDFN Exposed PadАналоговые и силовые компоненты

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	30mOhm @ 4A, 8V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	2.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	340 pF @ 15 V
Производитель	Texas Instruments
Тип монтажа	Surface Mount
Упаковка	Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Статус позиции	В производстве
Серия	NexFET™
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	+10V, -8V
Vgs(th) (Max) @ Id	1.8V @ 250µA

Напряжение сток-исток	30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	3V, 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	5A (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность	2.4W (Ta), 17W (Tc)

Package / Case	6-WDFN Exposed Pad
Корпус производителя	6-WSON (2x2)

Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)