Общие
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11mOhm @ 10A, 10V |
|---|---|
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.8 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 530 pF @ 12.5 V |
| Производитель | Texas Instruments |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) |
| Статус позиции | В производстве |
| Серия | NexFET™ |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | +16V, -12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.3V @ 250µA |