CSD16407Q5

Texas Instruments

CSD16407Q5

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 25V 31A/100A 8VSON

В производстве8-PowerTDFNАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs2.4mOhm @ 25A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs18 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2660 pF @ 12.5 V
ПроизводительTexas Instruments
Тип монтажаSurface Mount
УпаковкаTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Статус позицииВ производстве
СерияNexFET™
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)+16V, -12V
Vgs(th) (Max) @ Id1.9V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C31A (Ta), 100A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность3.1W (Ta)

Механические

Package / Case8-PowerTDFN
Корпус производителя8-VSONP (5x6)

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)