Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.7mOhm @ 20A, 8V |
|---|---|
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.1 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1350 pF @ 12.5 V |
| Производитель | Texas Instruments |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Серия | NexFET™ |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | +10V, -8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.1V @ 250µA |
| Напряжение сток-исток | 25 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 8V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 21A (Ta), 100A (Tc) |
| Макс. рассеиваемая мощность | 3W (Ta) |
| Корпус | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Корпус производителя | 8-VSON (5x6) |
| Рабочая температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
|---|