CSD13303W1015

Texas Instruments

CSD13303W1015

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 12V 31A 6DSBGA

В производстве6-UFBGA, DSBGAАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs20mOhm @ 1.5A, 4.5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds715 pF @ 6 V
ПроизводительTexas Instruments
Тип монтажаSurface Mount
УпаковкаTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Статус позицииВ производстве
СерияNexFET™
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id1.2V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток12 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3.5A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность1.65W (Ta)

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)