Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.3mOhm @ 5A, 4.5V |
|---|---|
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.6 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 997 pF @ 6 V |
| Производитель | Texas Instruments |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Серия | NexFET™ |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.1V @ 250µA |
| Напряжение сток-исток | 12 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 22A (Ta) |
| Макс. рассеиваемая мощность | 2.7W (Ta) |
| Корпус | Tape & Reel (TR) |
|---|---|
| Package / Case | 6-WDFN Exposed Pad |
| Корпус производителя | 6-WSON (2x2) |
| Рабочая температура | -55°C~150°C(TJ) |
|---|