Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50mOhm @ 2A, 4.5V |
|---|---|
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.7 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 430 pF @ 10 V |
| Производитель | Texas Instruments |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Напряжение сток-исток | 30 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A (Ta) |
| Макс. рассеиваемая мощность | 1W (Ta) |
| Корпус | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | SC-96 |
| Корпус производителя | 3-CPH |
| Рабочая температура | 150°C(TJ) |
|---|