Общие
| Тип памяти | Non-Volatile |
|---|---|
| Технология | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
| Время доступа | 85 ns |
| Базовый Part Number | BQ4010 |
| Производитель | Texas Instruments |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Упаковка | Tube |
| Статус позиции | Устаревший |
| Время цикла записи | 85ns |

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Тип памяти | Non-Volatile |
|---|---|
| Технология | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
| Время доступа | 85 ns |
| Базовый Part Number | BQ4010 |
| Производитель | Texas Instruments |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Упаковка | Tube |
| Статус позиции | Устаревший |
| Время цикла записи | 85ns |
| Объем памяти | 64Kbit |
|---|---|
| Формат памяти | NVSRAM |
| Memory Interface | Parallel |
| Напряжение питания | 4.5V ~ 5.5V |
| Memory Organization | 8K x 8 |
| Package / Case | 28-DIP Module (0.61", 15.49mm) |
|---|---|
| Корпус производителя | 28-DIP Module (18.42x37.72) |
| Рабочая температура | -40°C ~ 85°C (TA) |
|---|