Общие
| Capacitance @ Vr, F | 94.5pF @ 4V, 1MHz |
|---|---|
| Производитель | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 50 ns |
| Технология | Standard |
Taiwan Semiconductor Corporation
UGS20JH
DatasheetАналоговые и силовые компоненты
DIODE GEN PURP 600V 20A TO263AB
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 600 V |
|---|---|
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 2 V @ 20 A |
| Current - Average Rectified (Io) | 20A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 1 µA @ 600 V |
| Скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Механические
| Корпус | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) |
|---|---|
| Корпус производителя | TO-263AB (D2PAK) |
Среда
| Grade | Automotive |
|---|---|
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Qualification | AEC-Q101 |