Общие
| Производитель | Taiwan Semiconductor Corporation |
|---|---|
| Тип монтажа | Through Hole |
| Product Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 45 ns |
| Технология | Standard |
Taiwan Semiconductor Corporation
UGF12JD
DatasheetАналоговые и силовые компоненты
DIODE GEN PURP 600V 12A ITO220AC
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 600 V |
|---|---|
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 3.1 V @ 12 A |
| Current - Average Rectified (Io) | 12A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 500 nA @ 600 V |
| Скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Механические
| Корпус | Tube |
|---|---|
| Package / Case | TO-220-2 Full Pack |
| Корпус производителя | ITO-220AC |
Среда
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
|---|