Taiwan Semiconductor Corporation
60V, 11A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90mOhm @ 6A, 10V |
|---|---|
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.3 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 500 pF @ 15 V |
| Производитель | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Product Status | Active |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Напряжение сток-исток | 60 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Tc) |
| Макс. рассеиваемая мощность | 25W (Tc) |
| Корпус | Tube |
|---|---|
| Package / Case | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
| Корпус производителя | TO-251S (I-PAK SL) |
| Рабочая температура | 150°C (TJ) |
|---|