TSM6502CR

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM6502CR

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N/P-CH 60V 24A/18A 8DFN

В производстве8-PowerTDFNАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs34mOhm @ 5.4A, 10V, 68mOhm @ 4A, 10V
Базовый Part NumberTSM6502
КонфигурацияN and P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs10.3nC @ 4.5V, 9.5nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1159pF @ 30V, 930pF @ 30V
ПроизводительTaiwan Semiconductor Corporation
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C24A (Tc), 18A (Tc)
Power - Max40W

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerTDFN
Корпус производителя8-PDFN (5x6)

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)