Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET 2P-CH 20V 4.7A 6TDFN
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50mOhm @ 3A, 4.5V |
|---|---|
| Базовый Part Number | TSM500 |
| Конфигурация | 2 P-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.6nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1230pF @ 10V |
| Производитель | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 800mV @ 250µA |
| Напряжение сток-исток | 20V |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.7A (Tc) |
| Power - Max | 620mW |
| Корпус | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) |
|---|---|
| Package / Case | 6-VDFN Exposed Pad |
| Корпус производителя | 6-TDFN (2x2) |
| Рабочая температура | -50°C ~ 150°C (TJ) |
|---|