Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET N-CH 650V 4A ITO220
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.6Ohm @ 1.2A, 10V |
|---|---|
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16.8 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 596 pF @ 50 V |
| Производитель | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Product Status | Active |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.8V @ 250µA |
| Напряжение сток-исток | 650 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A (Tc) |
| Макс. рассеиваемая мощность | 41.6W (Tc) |
| Корпус | Tube |
|---|---|
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
| Корпус производителя | ITO-220 |
| Рабочая температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
|---|