TSM2N7000KCT A3G

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM2N7000KCT A3G

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CHANNEL 60V 300MA TO92

Снят с производстваTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed LeadsАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs5Ohm @ 100mA, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds60 pF @ 25 V
ПроизводительTaiwan Semiconductor Corporation
Тип монтажаThrough Hole
Product StatusDiscontinued at
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C300mA (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность400mW (Ta)

Механические

КорпусCut Tape (CT) Tape & Box (TB)
Package / CaseTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Корпус производителяTO-92

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)