TSM2537CQ RFG

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM2537CQ RFG

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N/P-CH 20V 11.6A/9A 6TDFN

В производстве6-VDFN Exposed PadАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs30mOhm @ 6.4A, 4.5V, 55mOhm @ 5A, 4.5V
Базовый Part NumberTSM2537
КонфигурацияN and P-Channel
FET FeatureLogic Level Gate, 1.8V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs9.1nC @ 4.5V, 9.8nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds677pF @ 10V, 744pF @ 10V
ПроизводительTaiwan Semiconductor Corporation
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C11.6A (Tc), 9A (Tc)
Power - Max6.25W

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case6-VDFN Exposed Pad
Корпус производителя6-TDFN (2x2)

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)