TSM250NB06DCR RLG

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM250NB06DCR RLG

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 2N-CH 60V 7A/30A 8DFN

В производстве8-PowerTDFNАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs25mOhm @ 7A, 10V
Базовый Part NumberTSM250
Конфигурация2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs22nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1461pF @ 30V
ПроизводительTaiwan Semiconductor Corporation
Тип монтажаSurface Mount
УпаковкаTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Статус позицииВ производстве
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C7A (Ta), 30A (Tc)
Power - Max2W (Ta), 48W (Tc)

Механические

Package / Case8-PowerTDFN
Корпус производителя8-PDFN (5x6)

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)