Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET 2N-CH 20V 5.8A 6TDFN
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25mOhm @ 4A, 4.5V |
|---|---|
| Базовый Part Number | TSM250 |
| Конфигурация | 2 N-Channel |
| FET Feature | Standard |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 775pF @ 10V |
| Производитель | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 0.8V @ 250µA |
| Напряжение сток-исток | 20V |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.8A (Tc) |
| Power - Max | 620mW (Tc) |
| Корпус | Tape & Reel (TR) |
|---|---|
| Package / Case | 6-VDFN Exposed Pad |
| Корпус производителя | 6-TDFN (2x2) |
| Рабочая температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
|---|